導(dǎo)熱粉體/導(dǎo)熱劑賦能聚酰亞胺（PI）薄膜，實(shí)現(xiàn)卓越導(dǎo)熱性能突破

在微電子封裝領(lǐng)域，聚酰亞胺（PI）薄膜憑借其卓越的綜合性能被認(rèn)為是理想的封裝材料，尤其在柔性封裝基板的應(yīng)用上大放異彩。隨著電子產(chǎn)業(yè)向集成化、微型化、輕薄化以及5G通信高頻化方向迅猛邁進(jìn)，PI絕緣薄膜作為電子器件的關(guān)鍵組成部分，其導(dǎo)熱性能的提升成為了亟待解決的技術(shù)挑戰(zhàn)。

傳統(tǒng)PI薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)普遍低于0.2W/(m·K)，難以有效應(yīng)對(duì)現(xiàn)代電子器件快速散熱的需求。為此，科研人員創(chuàng)新性地引入導(dǎo)熱粉體/導(dǎo)熱填料/導(dǎo)熱劑與PI樹(shù)脂共混技術(shù)，旨在顯著提升PI薄膜的導(dǎo)熱效能。其中，兼具優(yōu)異導(dǎo)熱性和絕緣性的陶瓷類(lèi)填料，如單峰氮化硼、耐水解氮化鋁、氮化硅、卡斷-球形氧化鋁等，成為制備高性能導(dǎo)熱絕緣PI薄膜的首選。導(dǎo)熱填料的粒徑、添加量以及填料與PI基體間的界面相互作用機(jī)制，均對(duì)最終復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

步入5G時(shí)代，電子產(chǎn)品的微型化、薄型化趨勢(shì)加劇，單位體積內(nèi)的熱量積聚問(wèn)題愈發(fā)嚴(yán)峻。特別是高頻5G通信技術(shù)的廣泛應(yīng)用，對(duì)PI絕緣導(dǎo)熱膜提出了更為嚴(yán)苛的性能要求。這一背景下，PI導(dǎo)熱膜的市場(chǎng)需求急劇攀升，智能手機(jī)作為消費(fèi)電子領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，對(duì)高效散熱材料的需求尤為迫切。同時(shí)，平板電腦因便攜性與卓越顯示效果而備受青睞，其超薄化發(fā)展趨勢(shì)將進(jìn)一步拓寬PI導(dǎo)熱膜的應(yīng)用空間。此外，隨著個(gè)人電腦性能的不斷飛躍，功耗與發(fā)熱量的顯著增加促使單臺(tái)設(shè)備所需散熱膜面積擴(kuò)大，預(yù)示著PC市場(chǎng)對(duì)PI導(dǎo)熱膜的需求也將持續(xù)增長(zhǎng)。

綜上所述，導(dǎo)熱粉體/導(dǎo)熱填料/導(dǎo)熱劑的巧妙應(yīng)用不僅為聚酰亞胺薄膜的導(dǎo)熱性能帶來(lái)質(zhì)的飛躍，更為滿(mǎn)足5G時(shí)代及未來(lái)電子器件對(duì)高效散熱的迫切需求提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。